EUROPRACTICE

Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen IIS

Die EUROPRACTICE-Initiative

EUROPRACTICE

EUROPRACTICE wurde im Oktober 1995 durch die Europäische Kommission (DGIII) gegründet mit dem Ziel, Unternehmen zu helfen, ihre Konkurrenzfähigkeit auf dem Weltmarkt durch ASICs, Multi-Chip-Module (MCM) oder Mikrosystem-Lösungen zu erhöhen. Dazu bietet der EUROPRACTICE-IC-Service der Europäischen Industrie und akademischen Einrichtungen einen sicheren Weg zu ASICs mit folgenden Eigenschaften:

Der EUROPRACTICE IC Service wird angeboten von:

  • Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen IIS
  • IMEC, Leuven, Belgium ( www.imec.be )

Fraunhofer IIS bietet folgende IC Service-Leistungen an:

  • Kompletter Designflow (Implementierung der Designidee) 
  • Design-Prüfung, funktionale Simulation und Timing-Simulation (VHDL/Verilog oder Netzliste, Spezifikation) 
  • Synthese (geprüfte Netzliste und Bonding-Diagramm) 
  • Testeinsatz (geprüfte Netzliste und Bonding-Diagramm) 
  • Place & Route (geprüfte Netzliste und Bonding-Diagramm) 
  • DRC (Design Rule Check) 
    ERC (Electrical Rule Check) 
    LVS (Layout Versus Schematic)
  • Prototypen (ungetestete Dies oder assemblierte ICs) 
  • Small-Volume -Produktion (Test, Assemblierung und Qualifikation)

Halbleiter-Technologien

  • CMOS
              o AMIS CMOS 0,35 µ C035M-A/D 5M
              o AMIS CMOS 0,5 µ C05M-A/D 3M
              o AMIS CMOS 0,7 µ C07M-A/D
              o austriamicrosystems CMOS 0,35 µ (C35) 4M
              o austriamicrosystems CMOS 0,35 µ (CSI) 3M
              o austriamicrosystems CMOS 0,6 µ (CUP) 3M
              o austriamicrosystems CMOS 0,8 µ (CXQ) 2M
              o UMC 0,13 µ CMOS A/D 8M
              o UMC 0,18 µ CMOS A/D 6M
              o UMC 0,25 µ CMOS A/D 5M 

  • High Voltage CMOS
              o AMIS 0,7 µ C07M-I2T 100 V
              o austriamicrosystems 50V CMOS 0,35 µ (H35) 4M
              o austriamicrosystems CMOS HV 0,8 µ (CXZ) 2M 

  • High Speed BiCMOS
              o austriamicrosystems BiCMOS 0,8 µ (BYQ) 2M 

  • High Speed SiGe
              o AMIS SiGe 0,35 µ BC035G 4M
              o austriamicrosystems SiGe 0,35 µ (S35) 4M
              o austriamicrosystems SiGe 0,8 µ (BYR) 2M
              o IHP SGC25A 0,25 µm SiGe:C
              o IHP SGC25B 0,25 µm SiGe:C
              o IHP SGC25C 0,25 µm SiGe:C
              o IHP SGB25VD 0,25 µm HV-RFCMOS + SiGe:C
               Ft=25GHz@BVCEO=7V
              Ft=75GHz@BVCEO=2,4V