Mikrowellen-ASICs in Silizium
Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen IIS
Mikrowellen-ASICs in Silizium
Integrierte Mikrowellen-Schaltungen waren früher eine exklusive Domäne von Verbindungshalbleiter-Technologien wie GaAs. Mit modernen SiGe- und Deep-Submicron-CMOS-Technologien wird die Integration von Mikrowellen-Schaltungen bis weit in den 2-stelligen GHz-Bereich möglich.
Die langjährige Erfahrung im Bereich professioneller Schaltungen mit höchster Performance auf GaAs konnte mittlerweile auch auf Si-basierte Technologien übertragen und das Know-how bei breitbandigen Schaltungen bis 22 GHz erweitert werden.
In Vorlaufprojekten wird derzeit an der Erweiterung des Know-hows bis in den Frequenzbereich von 60 GHz gearbeitet und damit die Basis für kostengünstige siliziumbasierte Radar- und Sensor-Anwendungen geschaffen.
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