Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen IIS
Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen IIS
Wafer and Chips
© Fraunhofer IIS / Paul Pulkert
IC Design Foundry Services

© Fraunhofer IIS / Paul Pulkert

Foundry Services

Das Fraunhofer IIS hat sich darauf spezialisiert ASICs in geringer Anzahl anzubieten. Getestete ASICs sind in verschiedenen Packages in kleinen Stückzahlen von einigen hundert erhältlich. Wir sind die Schnittstelle zu Foundries und Ihr Supply-Chain-Partner in der gesamten Wertschöpfungskette vom Design bis zur Produktion. Wir bieten: IC-Spezifikation, vollständigen Entwurfsablauf (Umsetzung des Entwurfskonzepts), Entwurf von analogen / digitalen Systemen und Mixed-Signal-Anwendungen, Layout und Verifikation (Synthese, Place & Route).
Im Geschäftsfeld ASIC Foundry Services bieten wir Volumina von 25/50 Samples bis hin zu Fertigungslosen. Wir bieten: ASIC-Prototypen, ASICs in geringen Stückzahlen, Assembly, Transfer in die Produktion, Unterstützung für Serientests und vollständige Supply-Chain-Services.

 

© Fraunhofer IIS/Syndia Ioannidou

Europractice

Die Europäische Kommission startete im Oktober 1995 die EUROPRACTICE-Initiative mit dem Ziel, Unternehmen durch die Verfügbarkeit kostengünstiger ASICs, Multichip-Module (MCM) oder Mikrosystemlösungen zu einer globaleren Wettbewerbsfähigkeit zu verhelfen. Darüber hinaus bietet der EUROPRACTICE IC Service der europäischen Industrie und akademischen Institutionen einen sicheren Weg zu ASICs mit folgenden Vorteilen:

  • Vollständig unterstützte kostengünstige Prototypenproduktion
  • Kleinserienfertigung
  • Schnelle Produktionspläne
  • Große Auswahl an Technologien
  • Supply Chain Services


Projekte mit kleinem Volumen

EUROPRACTICE/Fraunhofer IIS initiiert Hunderte Projekte mit kleinen Stückzahlen und liefert rund eine Million ASICs. Die Nachfrage unserer Kunden reicht von 200 Chips bis zu 1 Million ICs. Das durchschnittliche Projektvolumen liegt bei rund 50.000 Chips. Für Hersteller entsprechen 50.000 ASICs jedoch einer unbedeutenden Anzahl an Wafern, da für die Herstellung von 250.000 Chips mit einer Fläche von 7 mm² nur 25 12-Zoll-Wafer erforderlich sind.

Prototyping & IC-Services für kleine Volumina

Durch die Verwendung eines MPW-Ansatzes (Multi-Project Wafer) werden einzelne Kunden-designs für die Herstellung zusammengefasst und somit die Produktionskosten geteilt. Jeder Kunde erhält Muster seines eigenen Prototyps und muss nur nach einer festen Preisliste bezahlen. Darüber hinaus bieten wir ASICs in kleinen Mengen sowie Dienstleistungen für Engineering-Runs und Fertigungslose.

Prototypes Small-volume Batches Engineering Run Fabrication support

MPW

MPW with additional volume

Single-tooling with own mask set

Up to 50 Samples

100 – 1k

Approx. 6 Wafer

Lots of 25 Wafer

DRC (design rule check); ERC (electrical rule check); DfM (Design for Manufacturing)

Optional prototype assembly/packaging

Optional Assembly, Test, Qualification, Supply Chain Management

price list

on request

Request template

Fraunhofer IIS Partner Foundries

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Multi-Project-Wafer- und Small-Volume-Logistik:

© EUROPRACTICE
EUROPRACTICE Technologie-Trends im Zeitraum 2009-2019
© Fraunhofer IIS
Technologieknoten Designs über Fraunhofer IIS 2018 - 2019

Im Rahmen des EUROPACTICE-Programms haben wir langjährige Partnerschaften mit verschiedenen Halbleiterherstellern. Wir bieten unseren Kunden über die Foundries bei ams, GLOBALFOUNDRIES, IHP, X-FAB, Fraunhofer IISB, UMS kostengünstigen Zugang zu aktuellen Technologien:

  • CMOS
    ams: 350 nm - 180 nm
    GLO    BALFOUNDRIES: 130 nm - 12 nm
    X-FAB: 180 nm – 130 nm
  • High Voltage CMOS
    ams: 350 nm - 180 nm
    GLOB    ALFOUNDRIES: 130 nm
    X-FAB: 350 nm – 180 nm
  • High Speed SiGe
    GLOBALFOUNDRIES: 130 nm - 90 nm
    IHP: 250 nm - 130 nm
  • RF-SOI
    GLOBALFOUNDRIES: 45 nm
    X-FAB: 130 nm
  • Silicon Photonics
    GLOBALFOUNDRIES: 45 nm
    IHP: 250 nm
  • Silicon Carbide
    Fraunhofer IISB
  • GaN / GaAs
    UMS (0.25 µm - 0.15 µm)

ams OSRAM 0.35 μm und 180 nm
PROTOTYPEN UND SERIENFERTIGUNG

 

Über EUROPRACTICE-IC erhalten Kunden aus Wissenschaft und Industrie Zugang zu Multi-Project-Wafer-Runs und Serienfertigungs-Services von ams.
 
Die ams State-of-the-art 8-Zoll-Fab bietet leistungsstarke Prozesstechnologien mit mehr als 30 Jahren Wafer Processing Erfahrung. Das PDK (Process Design Kit) bietet alle Blöcke, die für die Erstellung komplexer analoger Mixed-Signal-Designs erforderlich sind.

Die in Österreich hergestellten ams 0,35 µm und 180 nm Technologien mit Standard-CMOS-, HV-, SiGe- und Opto-Prozess bieten Wissenschaft und Industrie einen erschwinglichen und einfachen Zugang zu Prototyping- und Small-Volume-Services.

 

GLOBALFOUNDRIES 130, 55, 45, 40, 28, 22, 12 nm
PROTOTYPEN UND SERIENFERTIGUNG

 

Über EUROPRACTICE-IC können Kunden aus dem akademischen und privaten Sektor auf die Multi-Project-Wafer- und Serienfertigungs-Services von GLOBALFOUNDRIES zugreifen.

GLOBALFOUNDRIES ist eine führende Spezial-Foundry mit einem breiten Angebot an Plattformen und Features wie RF CMOS, FDSOI, RFSOI, SiGe, FinFET und SiPhotonics. Die Technologieknoten reichen von 350 nm bis 12 nm. Die 22 nm und 28 nm Knoten von Globalfoundries werden in Dresden hergestellt.

GLOBALFOUNDRIES 22FDX® verwendet die 22-nm Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) Technologie, die eine herausragende Performance bei extrem niedriger Leistungsaufnahme bietet und bei 0,4 V Low-power sowie mit 1 pA pro Mikron für extrem niedrige Standby-Leakage arbeiten kann.

IHP 0.25 and 0.13 μm
PROTOTYPEN UND SERIENFERTIGUNG

 

EUROPRACTICE-IC bietet Zugang zu IHP SiGe:C BiCMOS-Technologien für Prototyping und die Produktion kleiner Stückzahlen.

IHP bietet Forschungspartnern und Industriekunden weltweit Zugang zu seinen leistungsstarken SiGe:C BiCMOS-Technologien. Mehrere Generationen von High-Speed SiGe Heterojunction Bipolartransistoren (HBT) wurden entwickelt und in 0,25 μm und 0,13 μm BiCMOS-Technologien integriert.

Der 0,13 μm BiCMOS-Prozess SG13G3Cu ist die schnellste derzeit verfügbare SiGe HBT-Technologie mit Spitzenwerten von fT / fmax-Werten von 500 GHz / 700 GHz. Diese IHP-Technologien eignen sich besonders für Anwendungen in den höheren GHz-Bändern, z. B. für Telekommunikation & Breitband, Radar und mehr.

G25H5_EPIC ist die monolithische Integration von photonischen Bauelementen wie Detektoren und Modulatoren in das Frontend einer Si-basierten integrierten Schaltungstechnologie, die kürzeste Verbindungen zwischen Photonik und Elektronik ermöglicht, von denen die Hochgeschwindigkeitsleistung von elektronisch-photonischen integrierten Schaltkreisen (EPIC) stark profitieren. Diese Technologie eignet sich besonders für optische Transceiver für 100G / 200G / 400 GHz-Anwendungen.

X-FAB 0.35, 0.18, 0.13 μm
PROTOTYPEN UND SERIENFERTIGUNG

 

EUROPRACTICE-IC bietet akademischen Institutionen sowie kleinen und mittelständischen Unternehmen Multi-Project-Wafer- und Fertigungsdienstleistungen von X-FAB an.

X-Fab ist eine führende Foundry-Gruppe für Analog- / Mixed-Signal-Halbleiteranwendungen mit sechs Produktionsstandorten in Deutschland, Frankreich, Malaysia und den USA. X-FAB hat eine Gesamtkapazität von rund 94.000 äquivalenten 8-Zoll-Wafer-Starts pro Monat.

Die Technologien reichen von 1,0 bis 0,13 µm Mixed-Signal-CMOS, speziellen SOI- und MEMS-Prozessen mit langer Lebensdauer für Automobil-, Industrie-, Medizin- und weitere Anwendungen.

 

 

Das Fraunhofer IISB bietet einen frühen Zugang zu seiner 2µm-SiC-CMOS-Technologie mit NMOS- und PMOS-Transistoren sowie passiven Bauelementen und pn-Dioden für integrierte Schaltungen. Diese Schaltungen können bei Temperaturen über 300 °C (bis ca. 600 °C) betrieben werden. Zusätzliche Prozessmodule sind für Hochspannungsbauteile, isolierte Transistoren und SiC-Bauteilvorlagen, die über CMOS-Schaltungen hinausgehen, erhältlich.
Zu den angestrebten Anwendungen für diese Technologie gehören integrierte Schaltungen jenseits von Silizium für extrem raue Umgebungen, einschließlich hoher Temperaturen und Strahlungspegel mit geringen Leckagen. Darüber hinaus kann die Technologie auf die Herstellung spezieller optischer SiC-Bauelemente und Quantensensor-Vorlagen zugeschnitten werden.

 

 

UMS bietet hochleistungsfähige 0,25 μm GaN High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT), 0,15 μm GaN HEMT und 0,1 μm GaAs Low Noise pHEMT Prozesse an.

GH25 ist eine raumevaluierte 0,25 μm HEMT GaN-on-SiC-Substrat-Technologie für Anwendungen mit sehr hoher Leistung. Mit GH25 ist es möglich, GaN-HPAs, LNAs, Schalter, Dioden, MMICs, Powerbars und Multifunktionskomponenten zu entwickeln.

GH15 ist eine 0,15μm HEMT GaN-on-SiC-Substrat-Technologie für Anwendungen mit sehr hoher Leistung.  

PH10 PHEMT GaAs Prozess ist für die Herstellung von rauscharmen Breitband- und medium-power Verstärker(MMICs) optimiert. Mit PH10 lassen sich LNAs, Verstärker mit variabler Verstärkung und mittlerer Leistung, Mischer und Multifunktions-TX- und -RX-MMICs, Fahrzeugradare, Bildsensoren, Glasfaserkommunikation und Messgeräte entwickeln.